扩散硅压力传感器是运用半导体单晶硅材料的压阻效应，采用集成电路工艺制成芯片而制成的一种传感器。这种传感器的芯片是由四个力敏电阻组成的惠斯登电桥。当压力作用时，电桥产生不平衡输出Δu，Δu与压力作用的大小成正比，从而完成压力→点的转换。扩散硅压力传感器与其它原理种类的传感器比较具有如下特点：

1.适合制作小量程的传感器。硅芯片的这种力敏电阻的压阻效应在零点附近的低量程段无死区，制作压力传感器的量程可小到几个Kpa。

2.输出灵敏度高。硅应变电阻的灵敏因子比金属应变计高50～100倍，故相应的传感器的灵敏度就很高，一般量程输出为100mv左右。因此对接口电路无特殊要求，使用比较方便。

3.精度高。由于传感器的感受、敏感转换和检测三部分由同一个元件实现，没有中间转换环节，重复性和迟滞误差较小。由于单晶硅本身刚度很大，变形很小，保证了良好的线性。

4.由于工作单性形变低至微应变数量级，弹性芯片***大位移在亚微米数量级，因而无磨损，无疲劳，无老化，寿命长达1×103压力循环，性能稳定，可靠性高。

5.由于硅的优良化学防腐性能，即使是非隔离型的扩散硅压力传感器，也有相当程度的适应各种介质的能力。

6.由于芯片采用集成工艺，又无传动部件，因此体积小，重量轻。

扩散硅压力传感器除了在金属应变、扭矩、位移、称重、测力等物理量不适合测量控制外，广泛用于气体和不结晶液体的表压、负压、差压、绝压的测量与控制。